Gjennombrudd innen minneteknologi gir større og raskere lagring

Intel og Micron lanserer 3D XPoint, den første helt nye kategorien minne på over 25 år.

Den nye minnetypen, 3D XPoint, skal i følge utviklerne by på som gir betydelig mindre forsinkelse, tillater lagring av mye mer data nær prosessoren, og gir tilgangshastigheter som tidligere har vært umulig å oppnå for ikke-flyktig minne.

3D XPoint gir bedre minne

I en pressemelding melder Intel at teknologien ble utviklet fra grunnen av for å møte behovet for ikke-flyktig lagring og minne med høy ytelse, høy bestandighet og høy kapasitet til en tilgjengelig pris. Den er bygget på unike materialsammensetninger oppfunnet av Intel og Micron, og er basert på en krysningspunktarkitektur selskapene har utviklet i fellesskap etter mer enn et tiårs forskning og utvikling.

Bransjen har i flere tiår prøvd å redusere forsinkelsen mellom prosessor og data for å muliggjøre mye raskere analyse. Denne nye minnekategorien oppnår dette målet, og introduserer banebrytende ytelse for minne- og lagringsløsninger
– Rob Crooke, Senior Vice President og General Manager i Intels Non-Volatile Memory Solutions Group.

Den transistorløse krysningspunktarkitekturen skaper et tredimensjonalt sjakkbrett hvor minnecellene sitter i krysningspunktet mellom ordlinjer og bitlinjer, noe som gir individuell tilgang til hver celle. Dette gjør at data kan leses og skrives i små størrelser, som igjen leder til raskere lese- og skriveprosesser.

3D XPoint. Illustrasjon: Intel

Arkitekturen har en matrisestruktur bestående av kryssende ledere som kobler sammen 128 milliarder tettpakkede minneceller, hvorav hver celle lagrer én bit data. I tillegg til at denne strukturen har en høy tetthet av krysningspunkter kan minnecellene stables i flere lag. I første generasjon lagrer teknologien 128 Gb over to lag, men både tetthet og antall lag kan økes i fremtidige generasjoner.

Et av de største hindrene i moderne databehandling er tiden prosessoren bruker for å få tak i data som ligger på lagringsenheter. Denne nye minnekategorien er en revolusjonerende teknologi som åpner for rask tilgang til enorme datasett, og muliggjør helt nye applikasjoner.
– Mark Adams, President i Micron.

Minnecellene aksesseres og skrives eller leses ved å endre spenningen som sendes til hver velger. Dette eliminerer behovet for transistorer, noe som øker kapasiteten samtidig som kostnadene reduseres. Med både liten cellestørrelse, raskt vekslende velgere, en matrisestruktur med lav forsinkelse og en rask skrivealgoritme er cellene i stand til å skifte tilstand raskere enn noen eksisterende ikke-flyktig minneteknologi.

3D XPoint-teknologi vil prøves ut med utvalgte kunder senere i år, og Intel og Micron utvikler nå individuelle produkter basert på teknologien.

 For mer informasjon, kan dette finnes hos Intel sine nettsider

Fitbits høstlansering

Med et smalere design, 6+ dagers batteritid og en ny funksjon som skal varsle om uregelmessig hjerterytme, forsterker Fitbit med Sense 2, Versa 4 og Inspire 3 sitt mål om å lede an med...

OnePlus 10T 5G er nå i salg

OnePlus 10T 5G er nå tilgjengelig over hele Europa. Det nyeste flaggskipet fra OnePlus har den raskeste ladningen noensinne med 150W-lading som gir en hel dags strøm på bare 10 minutter og fulladet på...